氧化鋁靶
化學符號：Al2O3 

純度：5N

規(guī)格：Φ50.8*5、Φ76.2、Φ101.6其他規(guī)格可定做！
分 子 量：101.96 
密    度：4g/cm3
熔    點：2045℃ 
沸    點：2980℃
蒸發(fā)溫度：1800℃ 
蒸發(fā)方式：電子束 
透明范圍/nm：200-7000
折射率n（波長/nm）：1.59(600)/1.56(1600)
             基片溫度為300℃時，λ=600nm,n=1.62；λ=1.6μm,n=1.59；
             基片溫度為40℃時， λ=600nm,n=1.59；λ=1.6μm,n=1.56；
蒸發(fā)源材料:W 、Mo 
溶 解 于：純酸、堿
薄膜的機械和化學性質：形成光滑的硬膜
性    能：高純氧化鋁具有耐腐蝕、耐高溫、高硬度、高強度、抗磨損、抗氧化、絕緣性好和表面積大等特點；不溶于水，微溶于強酸和強堿溶液，并能被**和**氫鉀浸蝕；
高純超細氧化鋁的優(yōu)點：純度高、粒徑小、密度大、高溫強度大、耐蝕性和易燒結；
應    用：增透膜，多層膜，防反膜，眼鏡膜，保護膜
用    途：廣泛應用于生物陶瓷、精細陶瓷、化工催化劑、稀土三基色熒光粉、集成電路芯片、航空光源器件、濕敏性傳感器及紅外吸收材料；
Al2O3膜的主要性能： 
密    度/g•cm-3:3.1-4.0 
電 阻 率/Ω•cm：1012-1013
折 射 率：1.72-1.76 
禁帶寬度eV：7
介電常數(shù)：7.5-9.6 
產(chǎn)生龜裂厚度/μm:0.4
介電強度/V•cm-1:1×106-7×106 
表面負電荷密度：3×1011-1012
紅外吸收峰/μm:14-16 
Al2O3-Si界面密度/（cm2•eV）-1: 1010-1011
注：規(guī)格可根據(jù)客戶需求定做！